机译:使用在独立式GaN衬底上生长的外延n-GaN层实现高稳定性和低态密度Al2O3 / GaN界面
机译:使用在独立式GaN衬底上生长的外延n-GaN层实现高度稳定且低态密度的Al_2O_3 / GaN界面
机译:通过将Mg离子注入形成在高质量自支撑GaN衬底上的n〜-GaN外延层中形成确定的GaN p-n结
机译:在邻域切割蓝宝石衬底上生长的n-GaN外延层的活化能
机译:结屏障肖特基二极管,用非常薄的高度Mg掺杂的P-GaN(20nm)/ N-GaN层在GaN底板上生长
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:290-MeV 238U32 +离子辐照对Al2O3上的外延GaN层的损害
机译:用于GaN / AlGaN / GaN MOS HEMT的低温原子层沉积生长的Al2O3栅极电介质:沉积条件对界面态密度的影响
机译:在HpVE生长的模板和自支撑GaN衬底上的N型GaN层的mOCVD生长和蚀刻